STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージH2PAK-7

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梱包形態
RS品番:
215-232
メーカー型番:
SCT040H120G3AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

H2PAK-7

シリーズ

SCT

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

最大許容損失Pd

300W

順方向電圧 Vf

2.6V

動作温度 Max

175°C

長さ

15.25mm

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

幅

10.4 mm

高さ

4.8mm

自動車規格

AEC-Q101

STマイクロエレクトロニクスの炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。

高速スイッチング性能

非常に高速で堅牢なボディダイオード

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