STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 55 A, 27 mΩ, 73 nC, 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- RS品番:
- 214-951
- メーカー型番:
- SCT025H120G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 214-951
- メーカー型番:
- SCT025H120G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1.2 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 55 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 27 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 73 nC | |
| ピン数 | 7 | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 2.7 V | |
| 高さ | 4.8 mm | |
| 長さ | 15.25 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 22 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 375 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | SCT025H120G3AG | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101, RoHS | |
| 幅 | 10.4 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1.2 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 55 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 27 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 73 nC | ||
ピン数 7 | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 2.7 V | ||
高さ 4.8 mm | ||
長さ 15.25 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 22 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 375 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ SCT025H120G3AG | ||
規格 / 承認 AEC-Q101, RoHS | ||
幅 10.4 mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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