STMicroelectronics MOSFET, タイプN, タイプNチャンネル, 1200 V, 55 A, 27 mΩ, 73 nC, 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- RS品番:
- 214-951
- メーカー型番:
- SCT025H120G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 214-951
- メーカー型番:
- SCT025H120G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| シリーズ | SCT025H120G3AG | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 27mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 73nC | |
| 順方向電圧 Vf | 2.7V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 4.8mm | |
| 幅 | 10.4mm | |
| 長さ | 15.25mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101, RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
シリーズ SCT025H120G3AG | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 27mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 73nC | ||
順方向電圧 Vf 2.7V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 4.8mm | ||
幅 10.4mm | ||
長さ 15.25mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101, RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
STマイクロエレクトロニクスの炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディダイオード
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