STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 55 A, 27 mΩ, 73 nC, 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- RS品番:
- 214-952
- メーカー型番:
- SCT025H120G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 214-952
- メーカー型番:
- SCT025H120G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| シリーズ | SCT025H120G3AG | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 27mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 73nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 順方向電圧 Vf | 2.7V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 15.25mm | |
| 高さ | 4.8mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101, RoHS | |
| 幅 | 10.4mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
シリーズ SCT025H120G3AG | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 27mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 73nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
順方向電圧 Vf 2.7V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 15.25mm | ||
高さ 4.8mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101, RoHS | ||
幅 10.4mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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