STMicroelectronics MOSFET 1200 V, 90 A パッケージHU3PAK, SCT019H120G3AG

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梱包形態
RS品番:
330-318
メーカー型番:
SCT019H120G3AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

SCT0

パッケージ型式

HU3PAK

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

18.5mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

555W

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN
STの先進的かつ革新的な第3世代Sic MOSFETテクノロジーにより開発されたSTMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスです。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。

AEC-Q101適合

全温度範囲にわたって非常に低いRDS(on)

高速スイッチング性能

非常に高速で堅牢なボディダイオード

効率を高めるソース検知ピン

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