Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 10.3 A, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK88, PSMNR55-40SSHJ

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梱包形態
RS品番:
243-4877
メーカー型番:
PSMNR55-40SSHJ
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

LFPAK88

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.6mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

LFPAK88パッケージのNexperia Nチャンネル強化モードMOSFETは、500 Aの連続電流、標準レベルゲート駆動を搭載しています。Nexperia独自の「ショットキープラス」テクノロジーを採用したNext Power S3ファミリは、通常、ショットキーまたはショットキー型ダイオードを内蔵したMOSFETに関連する高効率と低スパイク性能を実現しますが、問題となる高リーク電流は発生しません。Next Power S3は、高いスイッチング周波数での高効率アプリケーションに特に適しており、高負荷電流での安全で信頼性の高いスイッチングも可能です。

銅クリップとはんだダイアタッチにより、低パッケージインダクタンス、低抵抗、高ID（最大）定格を実現

D2PAKと10 x 12 mmリードレスパッケージタイプの代替品として最適

175 °Cで認定済み

クリーニングとクリアランスに関するUL2595規格に準拠

アバランシェ定格、100%テスト済み

低いQG、QGD、QOSSにより、特に高いスイッチング周波数で高効率を実現

ボディダイオードのソフトリカバリと超高速スイッチングにより、低スパイキングと低リンギングを実現、低EMI設計に推奨

ブラシレスDCモータ制御

サーバー電源などの大電力AC-DCアプリケーションにおける同期整流器

バッテリー保護とバッテリー管理システム（BMS）

eヒューズと負荷スイッチ

ホットスワップ/突入電流管理

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