インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 176 A, スルーホール, 3 ピン, IPB018N10N5ATMA1
- RS品番:
- 284-676
- メーカー型番:
- IPB018N10N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-676
- メーカー型番:
- IPB018N10N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 176 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| パッケージタイプ | PG-TO263-3 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 176 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
パッケージタイプ PG-TO263-3 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
インフィニオンのMOSFETは、optimos 5パワー・トランジスタを搭載しており、高周波スイッチング・アプリケーション向けに設計されているため、厳しい環境でも優れた性能を発揮します。この先進的なNチャネルMOSFETは、低オン抵抗で優れており、効率を大幅に高め、発熱を最小限に抑えます。驚異的な動作温度範囲により、最新の電子システムの過酷な使用に耐えるよう設計されています。そのコンパクトなD²PAKパッケージは、様々な電子アセンブリへの統合を簡素化し、設計の最適化を目指すエンジニアにとって多用途な選択肢となる。このデバイスはJEDEC規格に完全に適合しており、産業用アプリケーションでの信頼性が確認されています。
高周波スイッチングに最適
低オン抵抗が電力管理を強化
鉛フリー鉛メッキは規制に適合
規格に準拠したハロゲンフリー設計
優れたパフォーマンス指標のために最適化
産業用アプリケーションに最適
高度な放熱特性
低オン抵抗が電力管理を強化
鉛フリー鉛メッキは規制に適合
規格に準拠したハロゲンフリー設計
優れたパフォーマンス指標のために最適化
産業用アプリケーションに最適
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