Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 176 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージTO-263, IPB020N10N5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
171-1955
メーカー型番:
IPB020N10N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

176A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IPB020N10N5

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

168nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

375W

動作温度 Max

175°C

幅

11.05 mm

高さ

4.57mm

長さ

10.31mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon IPB020N10N5 は、 D2PAK パッケージの optiMOS 5 100 V パワー MOSFET です。 22 % 低い RDS （ on ）を実現しています。OR 接続、ホットスワップ、バッテリ保護などの通信ブロックにおける同期整流や、サーバー電源用途向けに特別に設計されています。

同期整流に最適化

高スイッチング周波数に最適

最大44 %の出力静電容量低減

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