Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 176 A, 2.5 mΩ, 168 nC, 5ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
171-1955
メーカー型番:
IPB020N10N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

176A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IPB020N10N5

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

168nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

375W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

175°C

高さ

4.57mm

長さ

10.31mm

幅

11.05mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon IPB020N10N5シリーズMOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧 100V、最大連続ドレイン電流 176A ― IPB020N10N5ATMA1


このMOSFETは、高電流に対応したNチャネル・エンハンスメント型デバイスで、厳しい熱環境下における表面実装型の電力変換およびスイッチング用途向けに設計されています。低オン抵抗と低い順方向電圧により、効率的なエネルギー伝送を実現し、さらに自動実装に適したパッケージとピン数により、放熱対策にも対応します。

特長:


• 2.5mΩ RDS(on)により、伝導損失を低減し、効率性を向上
• 100Vのドレイン定格により、中電圧システムで使用可能
• 連続電流 176A により、高負荷スイッチングに対応
• 標準ゲート電荷168nCにより、オン・オフ動作を適切に制御
• 375Wの許容電力により高出力での連続動作に対応
• -55°C~175°Cの幅広い動作温度範囲により、過酷な温度条件に対応

用途


• 同期整流型降圧コンバータの電力変換段階に最適
• モータ駆動ハーフブリッジ構成に最適
• サーバー用電源および通信機器用整流器に使用
• バッテリー管理および高電流スイッチングに使用可能
• 産業用インバータおよびトラクション用補助システムに最適

基板アセンブリにはどのような実装方式が必要ですか?


TO-263表面実装パッケージで提供され、銅ランドのプリント基板へのリフローはんだ付けに対応し、熱伝導を促進します。

ゲート電圧の許容差は、駆動回路の選択にどのように影響しますか?


ゲート・ソース間定格は最大20Vの駆動振幅に対応しているため、Rds(on)を低く抑えるために十分なVgsを確保しつつ、この上限を超えないよう適切なゲートドライバを選択する必要があります。

熱管理には、どのような対策が必要ですか?


375Wの電力損失に対応するため、連続的な高電流動作時には、十分な銅箔面積、サーマルビア、ヒートシンクを使用して、パッケージから効率的に熱を放散する必要があります。

回路接続用の端子はいくつありますか?


このデバイスは5ピン構成で、マルチピンTO-263パッケージにおける一般的な電源およびゲート接続に対応しています。

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