インフィニオン MOSFET, Pチャンネル, 180 A, 表面実装, 7 ピン, IPB180P04P403ATMA1

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RS品番:
857-8674
メーカー型番:
IPB180P04P403ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

P

最大連続ドレイン電流

180 A

最大ドレイン-ソース間電圧

40 V

シリーズ

OptiMOS P

パッケージタイプ

D2PAK (TO-263)

実装タイプ

表面実装

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗

2.8 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4V

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

150 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

1

幅

9.25mm

動作温度 Max

+175 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

190 nC @ 10 V

長さ

10mm

トランジスタ素材

Si

高さ

4.4mm

動作温度 Min

-55 °C

RoHSステータス: 該当なし

Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET


Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。

エンハンスメントモード
アバランシェ定格
スイッチングロスと導電損失が低い
無鉛めっき、RoHS準拠
標準パッケージ
OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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