Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 510 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8-1, IAUTN06S5N008ATMA1

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RS品番:
284-701
メーカー型番:
IAUTN06S5N008ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

510A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-HSOF-8-1

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.76mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

358W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOS 5車載用パワーMOSFETは、自動車セクターの高性能用途向けに設計されており、優れた効率と信頼性を発揮します。堅牢なNチャンネル強化モードデバイスとして設計されており、厳しい業界規格に適合する強化された電気テストにより、優れた機能性を保証します。この革新的なコンポーネントは、自動車の電力管理において優れ、さまざまな自動車システムにシームレスに統合できるコンパクトな設計を実現しています。優れた動作温度範囲とAEC Q101準拠により、過酷な環境条件下でも一貫した性能を実現します。

堅牢な設計で耐久性を向上

業界標準を上回ることを認定

熱管理のための効果的な熱抵抗

100%アバランチテストにより、耐久性を確保

環境に優しい使用のためのRoHS準拠

高連続ドレイン電流に対応

高度なゲート充電により、迅速なスイッチングを実現

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