型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 169 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8

RS品番:: 273-2794
メーカー型番:: IPT029N08N5ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 169 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8

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50 - 98	￥743.00	￥1,486
100 - 248	￥732.00	￥1,464
250 - 998	￥720.50	￥1,441
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RS品番:: 273-2794
メーカー型番:: IPT029N08N5ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	169A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	IPT
	パッケージ型式	PG-HSOF-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	2.9mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	167W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	7nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 169A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ IPT
	パッケージ型式 PG-HSOF-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.9mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 167W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21
	自動車規格なし

Datasheet - IPT029N08N5ATMA1

Infineon MOSFETは、Nチャンネル80 V MOSFETで、高周波スイッチングや同期整流に最適です。対象用途に対してJEDEC準拠に適合このMOSFETは、産業用途向けのJEDEC準拠で、IEC61249 2 21準拠でハロゲンフリーです。

RoHS準拠

鉛フリーリードめっき

優れたゲート充電

非常に低いオン抵抗

100 %バランステスト済み

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