Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 314 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8-1, IAUTN12S5N017ATMA1
- RS品番:
- 284-669
- メーカー型番:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 284-669
- メーカー型番:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 314A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 120V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | PG-HSOF-8-1 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.7mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 358W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 314A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 PG-HSOF-8-1 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 358W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOS 5車載用パワーMOSFETは、過酷な用途で堅牢な性能を発揮するよう設計されています。OptiMOS 5テクノロジーを備えた優れた効率と信頼性により、自動車用の電力管理ソリューションに最適です。Nチャンネル強化モード構造により、厳しい業界規格に準拠しながら高レベルの機能性を発揮します。このパワートランジスタは、過酷な条件に耐えるように設計されており、最大175°Cまで動作可能で、AEC Q101を超える拡張資格を備えています。
自動車用互換性に最適化
強化されたテストにより、信頼性の高い性能を実現
堅牢な設計と先進的な熱管理
MSL1等級が260°Cピークリフローをサポート
環境に優しい取り組みのためのRoHS準拠
アバランチテストにより、過渡抵抗性を確認
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