Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 149 A エンハンスメント型, 表面, 22-Pin パッケージPG-HDSOP-22, IPDQ60R015CFD7XTMA1

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RS品番:
284-733
メーカー型番:
IPDQ60R015CFD7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

149A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PG-HDSOP-22

シリーズ

600V CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

22

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

15mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

251nC

最大許容損失Pd

657W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, JEDEC for Industrial Applications

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETには、600 V CoolMOS CFD7パワートランジスタが搭載されており、高電圧電源用途で優れた機能を発揮し、比類のない効率と信頼性を発揮します。この製品は、先進的なスーパージャンクション技術を採用し、前身のCFD2シリーズよりもシームレスにアップグレードされています。相シフトフルブリッジコンバータやLLC回路などのソフトスイッチング用途に焦点を当てた設計により、最適な性能を実現します。ゲート充電を軽減し、逆回復充電を最小限に抑えるなどの強化された機能により、このトランジスタは現代のエネルギーシステムに最適なソリューションとなっています。コンパクトPG HDSOP 22パッケージは、既存の設計に簡単に統合でき、電力密度を最大化しながら、取り付けの複雑さを最小限に抑えることができます。CoolMOS CFD7は、産業用途向けのJEDEC規格にも完全に適合し、過酷な環境でも長期的な安定性と信頼性を確保します。

ソフトスイッチングトポロジに最適化

高速スイッチング用の超高速ボディダイオード

熱管理機能を内蔵し、長寿命を延長

効率を向上させる共振トポロジに最適化

コンパクト設計によりプリント基板取り付けが簡単

スペースの制限に対応する最大限の電力密度

堅牢な整流により信頼性の高い動作を保証

産業用途向けの信頼性基準を向上

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