Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 113.3 A エンハンスメント型, 表面, 22-Pin パッケージPG-HDSOP-22, IPDQ60T017S7XTMA1

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RS品番:
348-997
メーカー型番:
IPDQ60T017S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

113.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

PG-HDSOP-22

取付タイプ

表面

ピン数

22

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

17mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.82V

最大許容損失Pd

500W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

196nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, JEDEC, JS-001

COO（原産国）:
MY
Infineon CoolMOS S7T は、低周波スイッチング用途で最高のコストパフォーマンスを実現します。内蔵温度センサは、簡単でシームレスな実装を維持しながら、ジャンクション温度の検出精度と堅牢性を向上させます。CoolMOS S7T はスタティックスイッチングと大電流用途に最適化されています。この新型温度センサは S7 の機能を強化し、パワートランジスタの可能な限りの活用を可能にします。

システム性能の向上

システム性能の向上

よりコンパクトでわかりやすい設計

長期にわたる BOM または TCO の削減

信頼性とシステム寿命が向上

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