Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 174 A エンハンスメント型, 表面, 22-Pin パッケージPG-HDSOP-22, IPDQ60T010S7XTMA1

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RS品番:
351-942
メーカー型番:
IPDQ60T010S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

174A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPDQ60

パッケージ型式

PG-HDSOP-22

取付タイプ

表面

ピン数

22

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.022Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

694W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

318nC

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Max

150°C

幅

15.5 mm

規格 / 承認

JEDEC

高さ

2.35mm

長さ

15.1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
温度センサを内蔵した Infineon CoolMOS S7T は、ジャンクション温度の検出精度と堅牢性を高めると同時に、容易な実装を可能にします。このデバイスは、低周波かつ大電流のスイッチング用途に最適化されています。ソリッドステートリレー、ブレーカ設計、SMPS のライン整流に最適です。

伝導損失の最小化

システム性能の向上

EMR よりコンパクトな設計が可能

長期にわたる TCO の削減

より高い電力密度の設計が可能

外部検出素子の削減

電力トランジスタの最適利用

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