Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 99 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-WHTFN-9, IQE050N08NM5CGSCATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,248.00

(税抜)

￥2,472.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 100 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 45￥449.60￥2,248
50 - 95￥427.20￥2,136
100 - 495￥395.80￥1,979
500 - 995￥363.80￥1,819
1000 +￥350.80￥1,754

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
284-771
メーカー型番:
IQE050N08NM5CGSCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

99A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PG-WHTFN-9

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.0mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

100W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、パワートランジスタを備え、高効率と信頼性が求められる用途に最適な選択肢です。同期整流に最適化されたこのNチャンネルデバイスは、堅牢な熱性能と低オン抵抗で有名なOptiMOS 5シリーズの一部です。このデバイスは最大80Vの電圧で効果的に動作するため、幅広い産業用途に適しています。この製品は、100%アバランチテスト、RoHS規格に準拠した鉛フリー設計などの機能を備え、製造プロセスにおいて安全性とサステナビリティの両方を実現しています。優れた熱特性を確保する高度な設計により、小型のフットプリントと高性能を実現し、システム全体の効率を向上させることを目指す設計者にとって優れたオプションとなっています。

同期整流に最適化

回路統合を容易にするNチャンネル

低オン抵抗で電力損失を低減

信頼性を高める堅牢な耐熱性

極端な条件に関するアバランチテスト済み

安全のための鉛フリーリードめっき

IEC規格に適合するハロゲンフリー構造

JEDEC産業規格に準拠

関連ページ