Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 205 A, 1.35 mΩ, 9ピン, パッケージ：WHTFN
- RS品番:
- 260-1076
- メーカー型番:
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 260-1076
- メーカー型番:
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 205A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | WHTFN | |
| シリーズ | IQE | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 9 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.35mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 205A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 WHTFN | ||
シリーズ IQE | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 9 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.35mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IQEシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧40V、最大連続ドレイン電流205A - IQE013N04LM6CGSCATMA1
このNチャンネル強化MOSFETは、コンパクトなアセンブリの高電流スイッチング用に設計された表面実装電源デバイスです。過酷な環境での幅広い温度範囲で動作し、低オン抵抗により効率的な電力変換を実現します。このデバイスは、複数のピンを備えたWHTFNパッケージで提供され、密集したレイアウトでの熱および電流処理をサポートします。
特長および利点：
• 1.35mΩ RDS(on)により、伝導損失を低減し、効率性を向上
• 205Aの連続電流により、高負荷電源スイッチングをサポート
• 40Vのドレイン・ソース電圧により、中電圧システムの使用が可能
• 1V順方向電圧により、ダイオード伝導経路の損失を低減
• -55°C～+175°Cの動作により、極端な温度環境でも使用可能
• 205Aの連続電流により、高負荷電源スイッチングをサポート
• 40Vのドレイン・ソース電圧により、中電圧システムの使用が可能
• 1V順方向電圧により、ダイオード伝導経路の損失を低減
• -55°C～+175°Cの動作により、極端な温度環境でも使用可能
用途
• 電源管理システムのDC-DCコンバータに最適
• コンパクトモジュールの高電流モータードライブステージに最適
• 低抵抗を必要とする配電アレイで使用
• バッテリ保護および高電流スイッチングに使用可能
• コンパクトモジュールの高電流モータードライブステージに最適
• 低抵抗を必要とする配電アレイで使用
• バッテリ保護および高電流スイッチングに使用可能
どのようなパッケージタイプを使用し、それが重要な理由は何ですか？
表面実装に便利なWHTFNパッケージで提供され、複数のピンによる放熱をサポートします。
チャンネル構成はスイッチングにどのように影響しますか?
このデバイスはNチャンネルエンハンスメントモードを採用し、低ゲートドライブ要件でローサイドスイッチングを実現し、効率的な制御を実現します。
自動車規格に準拠するように設計されていますか?
自動車規格に適合することは指定されておらず、車両グレードの使用に関してそれに応じて評価する必要があります。
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