Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 205 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージWHTFN

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール6000個入り) 小計:*

¥884,466.00

(税抜)

¥972,912.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,000 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
6000 - 6000¥147.411¥884,466
12000 - 54000¥145.568¥873,408
60000 - 84000¥143.717¥862,302
90000 - 114000¥141.867¥851,202
120000 +¥140.016¥840,096

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
260-1076
メーカー型番:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

205A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

WHTFN

シリーズ

IQE

取付タイプ

表面

ピン数

9

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、サーマルパッドを介してソースポテンションを基板に接続することができます。これにより、熱性能の向上、高度な電力密度、レイアウトの可能性の向上など、さまざまな利点が得られます。また、アクティブ冷却要件の削減と、システムレベルでの利点となる熱管理の効果的なレイアウトも備えています。

最高の電力密度と性能を実現

優れた熱性能

レイアウトの可能性を最適化

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ