Infineon パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 80 V, 127 A エンハンスメント型, 表面実装, 9-Pin パッケージPG-WHTFN-9, IQE031N08LM6CGSCATMA1
- RS品番:
- 762-895
- メーカー型番:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
N
ボリュームディスカウント対象商品
1個小計:*
¥429.00
(税抜)
¥471.90
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 5,950 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥429 |
| 10 - 24 | ¥361 |
| 25 - 99 | ¥224 |
| 100 - 499 | ¥219 |
| 500 + | ¥212 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 762-895
- メーカー型番:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 127A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PG-WHTFN-9 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 9 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.15mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 33nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 127A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PG-WHTFN-9 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 9 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.15mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 33nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 0.75mm | ||
長さ 3.4mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- MY
Infineon OptiMOS 6パワートランジスタは、定格電圧80 Vの高性能SMPS向けに最適化されています。IEC61249‐2‐21に準拠したハロゲンフリーで、RoHSに準拠しています。
N‐チャンネル
100% アバランシェ試験済み
動作温度: 75 °C
鉛フリーリードめっき
関連ページ
- Infineon MOSFET 99 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-WHTFN-9, IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Infineon MOSFET 132 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-WHTFN-9, IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Infineon MOSFET 99 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-WHTFN-9, IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Infineon MOSFET 205 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージWHTFN, IQE013N04LM6CGSCATMA1
- Infineon パワーMOSFET 127 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQE031N08LM6CGATMA1
- Infineon MOSFET タイプNチャンネル 表面 9-Pin, IQDH35N03LM5CGSCATMA1 パッケージPG-WHTFN-9
- Infineon MOSFET タイプNチャンネル 表面 9-Pin, IQDH88N06LM5CGSCATMA1 パッケージPG-WHTFN-9
- Infineon MOSFET 151 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-WHTFN-9, IQD063N15NM5CGSCATMA1
