1 Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 表面 120 V, 8-Pin エンハンスメント型, ISC030N12NM6ATMA1 パッケージPG-TSON-8

RS品番:: 284-783
メーカー型番:: ISC030N12NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

1 Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 表面 120 V, 8-Pin エンハンスメント型, ISC030N12NM6ATMA1 パッケージPG-TSON-8

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RS品番:: 284-783
メーカー型番:: ISC030N12NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	120V
	パッケージ型式	PG-TSON-8
	シリーズ	OptiMOS 6 Power Transistor
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	1
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V
	パッケージ型式 PG-TSON-8
	シリーズ OptiMOS 6 Power Transistor
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	チャンネルモードエンハンスメント型
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格なし

COO（原産国）:: DE

インフィニオンMOSFETは、高周波スイッチング用途向けに設計されたARTパワートランジスタの状態で、優れた性能と効率を誇ります。このNチャンネルMOSFETは、さまざまな産業用途での使用に最適化されており、過酷な条件下でもピーク信頼性を実現します。低オン抵抗と優れたゲート充電特性により、同期整流および電力変換システムでの性能を向上させます。このデバイスは、高温で効率的に動作するため、各セクターのさまざまな用途に適しています。コンパクトPG TSON 8 3パッケージにより、省スペース設計が可能になり、優れた熱性能を実現し、高品質の電力管理ソリューションを求めるエンジニアに最適な選択肢となっています。

極めて低いオン抵抗で電力損失を最小化

高効率、優れたゲート充電

高周波用途でのシームレスな動作

高いアバランチエネルギー等級により、耐久性を向上

最高175°Cまで効果的に動作

安全性に関するRoHS基準に準拠

柔軟な取り扱いを実現するMSL 1分類

同期整流性能に最適化

1 Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 表面 120 V, 8-Pin エンハンスメント型, ISC030N12NM6ATMA1 パッケージPG-TSON-8

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