Infineon MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 88 A, 13 mΩ, 39 nC, 8ピン, パッケージ:PG-TSON-8

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RS品番:
349-148
メーカー型番:
ISC130N20NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

88A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

PG-TSON-8

シリーズ

ISC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

最大許容損失Pd

242W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Infineon ISCシリーズ MOSFET、ドレイン・ソース間電圧 200V、連続ドレイン電流 88A — ISC130N20NM6ATMA1


このMOSFETは、表面実装型のパワー用途向けに設計された大電流Nチャネルスイッチです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、堅牢な電圧処理と効率的な伝導が求められる用途向けに設計されています。このデバイスは、基板実装向けのコンパクトなPG-TSON-8パッケージで提供され、業界標準の製造規格に準拠しています。

特長および利点:


• 最大ドレイン電圧200Vにより、高電圧スイッチングを実現
• 88Aの連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 13 mΩのオン抵抗(RDS(on))により、導通損失を低減
• 242Wの許容電力により、大きな熱負荷に対応
• 39 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングエネルギーを実現
• ±20Vのゲート許容差により、オーバードライブからゲートを保護

用途


• 産業用システムの高出力DC-DCコンバータに最適
• 大電流が求められるモータードライブの電力変換段に最適
• エネルギー貯蔵ハードウェアのバッテリ管理システムと併用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• パワーエレクトロニクスの高速スイッチングインバータ回路に最適

基板実装にはどのような取付方式が必要ですか?


PG-TSON-8のフットプリントを使用した表面実装に適しています。

極端な温度下でどのように動作しますか?


-55°C~175°Cで動作するように設計されており、過酷な条件下でも熱設計マージンを確保します。

材料と取扱いに関して、どのような基準がありますか?


製造および取扱いは、JEDECおよびJ-STD-020規定およびRoHS規制に準拠しています。

設計者はどのようなゲート駆動の制約を遵守する必要がありますか?


ゲートソースの制限を超えないように、ゲートは±20V以内で駆動する必要があります。

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