Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 88 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSON-8, ISC130N20NM6ATMA1

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RS品番:
349-148
メーカー型番:
ISC130N20NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

88A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

ISC

パッケージ型式

PG-TSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

最大許容損失Pd

242W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon OptiMOS 6 パワートランジスタは、高性能電力用途向けに設計された N チャネル、通常レベル MOSFET です。非常に低いオン抵抗（RDS(on)）を特徴としており、導通損失を最小限に抑え、システム効率を向上させるのに役立ちます。優れたゲート電荷 xRDS(on) 積（FOM）により、このトランジスタは最適化されたスイッチング性能を保証します。また、逆回復電荷（Qrr）が非常に低く、スイッチング損失を低減し、高速スイッチング回路の全体的な効率が向上しています。175℃ の温度で動作するように設計されており、過酷な環境において高い信頼性を提供し、堅牢な動作のための優れた熱性能を提供します。

鉛フリー鉛メッキおよび RoHS 準拠

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリー

J-STD-020 に準拠し、MSL 1 に分類

100% アバランシェ試験済み

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