Infineon MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 88 A, 13 mΩ, 39 nC, 8ピン, パッケージ:PG-TSON-8
- RS品番:
- 349-148
- メーカー型番:
- ISC130N20NM6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計:*
¥2,479.00
(税抜)
¥2,726.90
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年9月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | ¥1,239.50 | ¥2,479 |
| 20 - 198 | ¥1,116.00 | ¥2,232 |
| 200 + | ¥1,029.50 | ¥2,059 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 349-148
- メーカー型番:
- ISC130N20NM6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 88A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | PG-TSON-8 | |
| シリーズ | ISC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大許容損失Pd | 242W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 88A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 PG-TSON-8 | ||
シリーズ ISC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 39nC | ||
最大許容損失Pd 242W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- MY
Infineon ISCシリーズ MOSFET、ドレイン・ソース間電圧 200V、連続ドレイン電流 88A — ISC130N20NM6ATMA1
このMOSFETは、表面実装型のパワー用途向けに設計された大電流Nチャネルスイッチです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、堅牢な電圧処理と効率的な伝導が求められる用途向けに設計されています。このデバイスは、基板実装向けのコンパクトなPG-TSON-8パッケージで提供され、業界標準の製造規格に準拠しています。
特長および利点:
• 最大ドレイン電圧200Vにより、高電圧スイッチングを実現
• 88Aの連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 13 mΩのオン抵抗(RDS(on))により、導通損失を低減
• 242Wの許容電力により、大きな熱負荷に対応
• 39 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングエネルギーを実現
• ±20Vのゲート許容差により、オーバードライブからゲートを保護
• 88Aの連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 13 mΩのオン抵抗(RDS(on))により、導通損失を低減
• 242Wの許容電力により、大きな熱負荷に対応
• 39 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングエネルギーを実現
• ±20Vのゲート許容差により、オーバードライブからゲートを保護
用途
• 産業用システムの高出力DC-DCコンバータに最適
• 大電流が求められるモータードライブの電力変換段に最適
• エネルギー貯蔵ハードウェアのバッテリ管理システムと併用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• パワーエレクトロニクスの高速スイッチングインバータ回路に最適
• 大電流が求められるモータードライブの電力変換段に最適
• エネルギー貯蔵ハードウェアのバッテリ管理システムと併用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• パワーエレクトロニクスの高速スイッチングインバータ回路に最適
基板実装にはどのような取付方式が必要ですか?
PG-TSON-8のフットプリントを使用した表面実装に適しています。
極端な温度下でどのように動作しますか?
-55°C~175°Cで動作するように設計されており、過酷な条件下でも熱設計マージンを確保します。
材料と取扱いに関して、どのような基準がありますか?
製造および取扱いは、JEDECおよびJ-STD-020規定およびRoHS規制に準拠しています。
設計者はどのようなゲート駆動の制約を遵守する必要がありますか?
ゲートソースの制限を超えないように、ゲートは±20V以内で駆動する必要があります。
関連ページ
- Infineon MOSFET 120 V パッケージ:PG-TSON-8
- Infineon パワー トランジスタ 135 V 3.7 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-TSON-8
- Infineon MOSFET 120 V パッケージ:PG-TDSON-8 FL
- Infineon MOSFET 80 V 4.6 mΩ パッケージ:PG-TSON-8
- Infineon MOSFET 40 V 0.36 mΩ パッケージ:PG-TSON-12
- Infineon NチャンネルMOSFET 120 V 7.8 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-TDSON-8
- Infineon MOSFET 100 V 3.5 mΩ パッケージ:PG-TDSON-8
- Infineon パワーMOSFET 60 V 0.68 mΩ 12ピン, パッケージ:PG-TSON-12
