Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 2000 V, 89 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージPG-TO-247-4-PLUS-NT14, IMYH200R024M1HXKSA1

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RS品番:
284-864
メーカー型番:
IMYH200R024M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

89A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

2000V

シリーズ

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

パッケージ型式

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

35mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

576W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

137nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
インフィニオンCoolSiC 2000 V SiCトレンチMOSFETは、高性能用途向けに設計された最先端ソリューションです。先進的な.XT相互接続技術で設計されており、最適な熱管理と効率を確保し、過酷な環境に最適です。堅牢なボディダイオードを備えたMOSFETは、過酷な切り替え条件下で優れた性能を発揮し、ストリングインバータやEV充電システムなどのさまざまな用途で信頼性の高い動作を実現します。最大89Aの連続ドレイン電流を含む優れた仕様により、大きな電力負荷を処理する能力を強調し、低スイッチング損失により全体的なシステム効率を向上させます。このデバイスは、産業用途向けに厳格に検証されており、業界規格と信頼性に準拠しています。

2000Vの高電圧で動作

極めて低いオンステート抵抗により効率を向上

性能用ベンチマークゲートしきい値電圧

優れた設計のボディダイオードによる堅牢な動作

JEDECテストにより産業用途向けに検証済み

設計により最適な熱性能をサポート

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