Infineon MOSFET, Nチャンネル, 2 kV, 89 A, 35 mΩ, 137 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO-247-4-PLUS-NT14

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IMYH200R024M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

89A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

2kV

シリーズ

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

パッケージ型式

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

35mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

137nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

576W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Infineon CoolSiC 2000 V SiCトレンチMOSFETシリーズ MOSFET、最大ドレインソース電圧 2000V、最大連続ドレイン電流 89A - IMYH200R024M1HXKSA1


MOSFETは、過酷なパワーエレクトロニクス環境における高電圧スイッチング向けに設計された、シリコンカーバイド製のパワートランジスタです。Nチャネル・エンハンスメント型デバイスとして動作し、産業用アセンブリでの堅牢な取り付けと熱除去を容易にするスルーホール型PG-TO-247-4パッケージで提供されます。本製品は、広い温度範囲にわたって高い耐圧性能と継続的な電流処理能力が求められる用途向けに設計されています。

特長および利点:


• 高電圧システム向けの2000Vのドレイン・ソース間耐圧
• 89Aの連続ドレイン電流により、高負荷動作を実現
• 35 mΩの低オン抵抗(RDS(on))で、導通損失を最小化
• 最大576Wの許容電力に対応し、熱耐性を実現
• Vgs条件における代表値137 nCのゲート電荷により、ゲート駆動回路の容量設計に対応
• -55°C~175°Cで動作し、幅広い温度範囲を実現

用途


• 駆動用インバータの高電圧側に最適
• 大規模な電力変換設備に最適
• 高電圧DC-DCコンバーターモジュールに使用
• 産業用モータドライブ及び制御に使用
• ソリッドステートの回路ブレーカ設計に最適

実装にはどのような取付方式が必要ですか?


PG-TO-247-4のスルーホールパッケージで提供され、規定の電力損失性能を確保するには、適合するヒートシンクと確実な実装が必要です。

ゲート駆動時に注意すべき制約は何ですか?


ゲート-ソース間電圧は最大20Vであるため、ゲートドライバは損傷を防ぐためにVgsを20 V以下に制限する必要があります。

高負荷時のデバイスの熱特性はどのようになっていますか?


このトランジスタは、適切な冷却条件下で最大576Wの消費電力に対応します。

接合部温度を許容動作範囲内に維持するため、適切な熱管理能力が必要です。

車載向け用途に適していますか?


自動車規格への適合は規定されていないため、自動車向けの認定が必要な用途には使用しないでください。

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