Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 445 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD009N06NM5CGATMA1

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RS品番:
284-928
メーカー型番:
IQD009N06NM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

445A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PG-TTFN-9

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

333W

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 5パワートランジスタを備えており、さまざまな用途で高効率の性能を発揮するように設計されており、最大電圧60Vで安定した動作を実現します。このNチャンネルMOSFETは、低オン抵抗を備えているため、電力損失を大幅に削減し、過酷な条件下でも最適な熱管理を維持することができます。このデバイスは、高度なアバランチ特性と信頼性のための幅広いテストにより、優れた耐熱性と堅牢な性能を要求する産業用途に対応します。コンパクトPG TTFN 9パッケージは、既存の設計に簡単に統合できるため、システムを強化するエンジニアに最適です。

極めて低いオン抵抗が効率を向上

強化された低オン抵抗で性能を向上

連続電流およびパルス電流に最適化

耐久性のための包括的なアバランチ等級

RoHS、ハロゲンフリー準拠

JEDEC規格に完全準拠

消費電力の大幅な節約

多様な環境に対応する柔軟な温度範囲

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