Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 86 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC073N12LM6ATMA1

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RS品番:
285-047
メーカー型番:
ISC073N12LM6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

86A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

120V

パッケージ型式

PG-TDSON-8

シリーズ

OptiMOS 6 Power Transistor

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

125W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、高周波スイッチング用途で優れた先進的なNチャンネルパワートランジスタです。革新的なOptiMOS 6技術で設計されており、優れた効率と性能を発揮します。このコンポーネントは、低オン抵抗と高いバランスエネルギー定格を備え、過酷な産業用途向けに最適化されており、過酷な熱環境でも信頼性の高い動作を実現します。II Compact PG TDSON 8パッケージは、使いやすさをさらに向上させ、さまざまな設計に簡単に統合できます。このトランジスタは、幅広い温度範囲でシームレスに動作し、さまざまな用途で汎用性を発揮します。

性能を向上させるNチャンネル設計

高周波スイッチングに最適化

低オン抵抗により、エネルギー効率を向上

高いアバランチ等級により、信頼性を確保

コンパクトパッケージで設計スペースを節約

サステナビリティのためのRoHS準拠

はんだ付けが簡単なMSL 1

内部ボディダイオードにより、機能性を向上

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