Vishay MOSFET, Nチャンネル, 1 A, スルーホール, 4 ピン, IRLD110PBF
- RS品番:
- 301-338
- メーカー型番:
- IRLD110PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 301-338
- メーカー型番:
- IRLD110PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 1 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| パッケージタイプ | HVMDIP | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 540 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V | |
| 最大パワー消費 | 1.3 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -10 V, +10 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 長さ | 5mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 幅 | 6.29mm | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 3.37mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 1 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
パッケージタイプ HVMDIP | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 540 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 1V | ||
最大パワー消費 1.3 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -10 V, +10 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
長さ 5mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 6.1 nC @ 5 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
幅 6.29mm | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 3.37mm | ||
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor