Vishay MOSFET, Nチャンネル, シングル, 100 V, 1 A, 540 mΩ, 8.3 nC, 4ピン, パッケージ：HVMDIP
- RS品番:
- 919-4498
- メーカー型番:
- IRFD110PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 919-4498
- メーカー型番:
- IRFD110PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 100 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 1 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 540 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 8.3 nC | |
| ピン数 | 4 | |
| パッケージ型式 | HVMDIP | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 2.5 V | |
| 高さ | 3.37 mm | |
| 長さ | 5 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -20 V, +20 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 1.3 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | IRFD | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.29 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 100 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 1 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 540 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 8.3 nC | ||
ピン数 4 | ||
パッケージ型式 HVMDIP | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 2.5 V | ||
高さ 3.37 mm | ||
長さ 5 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 1.3 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ IRFD | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.29 mm | ||
- COO（原産国）:
- PH
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• Package with low thermal resistance
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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