Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, シングル, 100 V, 1 A, 600 mΩ, 4ピン, パッケージ：HVMDIP
- RS品番:
- 541-0553
- メーカー型番:
- IRFD9120PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 541-0553
- メーカー型番:
- IRFD9120PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 100 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 1 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 600 mΩ | |
| ピン数 | 4 | |
| パッケージ型式 | HVMDIP | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 3.37 mm | |
| 長さ | 5 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V, -20 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 1.3 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 幅 | 6.29 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 100 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 1 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 600 mΩ | ||
ピン数 4 | ||
パッケージ型式 HVMDIP | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 3.37 mm | ||
長さ 5 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V, -20 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 1.3 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
幅 6.29 mm | ||
The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1" pin centres.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
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