Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 1.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, IRLML2402TRPBF

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梱包形態
RS品番:
302-016
メーカー型番:
IRLML2402TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

250mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

540mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.6nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

304-36-994

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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