onsemi MOSFET, タイプN, タイプPチャンネル, 65 V, 7 A, 210 mΩ, 8ピン, パッケージ：SOIC-8
- RS品番:
- 327-795P
- メーカー型番:
- NCV8406DD1CR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 327-795P
- メーカー型番:
- NCV8406DD1CR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 65V | |
| シリーズ | NCV | |
| パッケージ型式 | SOIC-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 210mΩ | |
| チャンネルモード | デュアル | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 14V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大許容損失Pd | 1.2W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, Pb-Free | |
| 幅 | 4mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 65V | ||
シリーズ NCV | ||
パッケージ型式 SOIC-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 210mΩ | ||
チャンネルモード デュアル | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 14V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大許容損失Pd 1.2W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.75mm | ||
規格 / 承認 RoHS, Pb-Free | ||
幅 4mm | ||
長さ 5mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- PH
オン・セミコンダクターのデュアル保護ローサイド・スマート・ディスクリート・デバイスは、過電流、過温度、ESD、および過電圧保護のための統合ドレイン・ツー・ゲート・クランピングを含む包括的な保護機能を提供します。過酷な自動車環境で信頼性の高い性能を発揮するよう設計されています。
短絡保護
自動再起動機能付きサーマルシャットダウン