STMicroelectronics, Nチャンネル, 650 V, 60 A, 21.5 mΩ, 82.5 nC, 7ピン, パッケージ：HU3PAK
- RS品番:
- 671-934
- メーカー型番:
- SCT018HU65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 671-934
- メーカー型番:
- SCT018HU65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | HU3PAK | |
| シリーズ | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 21.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 82.5nC | |
| 最大許容損失Pd | 388W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 5.15mm | |
| 長さ | 35.9mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 15.75mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 HU3PAK | ||
シリーズ STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 21.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 82.5nC | ||
最大許容損失Pd 388W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 5.15mm | ||
長さ 35.9mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 15.75mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- IT
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