STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 750 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージHU3PAK, SCT060HU75G3AG
- RS品番:
- 152-111
- メーカー型番:
- SCT060HU75G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 152-111
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- SCT060HU75G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 750V | |
| シリーズ | SCT060HU | |
| パッケージ型式 | HU3PAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 58mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 29nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 3.6mm | |
| 長さ | 14.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 750V | ||
シリーズ SCT060HU | ||
パッケージ型式 HU3PAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 58mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 29nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 3.6mm | ||
長さ 14.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- JP
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
AEC-Q101適合
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディダイオード
効率を高めるソース検知ピン
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