Microchip MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル 200 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, TC6320TG-G
- RS品番:
- 333-204
- メーカー型番:
- TC6320TG-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 333-204
- メーカー型番:
- TC6320TG-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | TC6320 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ TC6320 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Microchip MOSFETは高耐圧、低しきい値のNチャネルおよびPチャネルMOSFETで、8リードのVDFNおよびSOICパッケージです。どちらのMOSFETも、ゲート・ソース間抵抗とゲート・ソース間ツェナー・ダイオード・クランプを内蔵しており、高電圧アプリケーションに適している。このMOSFETは、高速、高電圧、ゲートクランプ式のNチャネルおよびPチャネルMOSFETで、先進的な縦型DMOS構造と実証済みのシリコンゲート製造プロセスを採用しています。
ゲート・ソース間抵抗内蔵
ゲート・ツー・ソース・ツェナー・ダイオード内蔵
敷居が低い
低オン抵抗
低入力容量
高速スイッチング速度
二次故障の心配なし
低入出力リーク
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