4 DiodesZetex MOSFET フルブリッジ, タイプP, タイプNチャンネル, 850 mA, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計:*

¥264,727.50

(税抜)

¥291,200.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500¥105.891¥264,728
5000 - 22500¥104.334¥260,835
25000 - 35000¥102.776¥256,940
37500 - 47500¥101.219¥253,048
50000 +¥99.662¥249,155

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
122-1421
メーカー型番:
ZXMHC10A07N8TC
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

850mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.9nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.36W

動作温度 Min

150°C

順方向電圧 Vf

0.95V

トランジスタ構成

フルブリッジ

動作温度 Max

-55°C

規格 / 承認

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

長さ

5mm

4 mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

4

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ