4 DiodesZetex MOSFET フルブリッジ, タイプP, タイプNチャンネル, 850 mA, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 122-1421
- メーカー型番:
- ZXMHC10A07N8TC
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール2500個入り) 小計:*
¥264,727.50
(税抜)
¥291,200.00
(税込)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年4月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥105.891 | ¥264,728 |
| 5000 - 22500 | ¥104.334 | ¥260,835 |
| 25000 - 35000 | ¥102.776 | ¥256,940 |
| 37500 - 47500 | ¥101.219 | ¥253,048 |
| 50000 + | ¥99.662 | ¥249,155 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 122-1421
- メーカー型番:
- ZXMHC10A07N8TC
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 850mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.45mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 1.36W | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.95V | |
| トランジスタ構成 | フルブリッジ | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 4 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 850mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.45mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.9nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 1.36W | ||
動作温度 Min 150°C | ||
順方向電圧 Vf 0.95V | ||
トランジスタ構成 フルブリッジ | ||
動作温度 Max -55°C | ||
規格 / 承認 RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
長さ 5mm | ||
幅 4 mm | ||
高さ 1.5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 4 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
関連ページ
- 4 DiodesZetex MOSFET フルブリッジ タイプNチャンネル 表面 100 V ZXMHC10A07N8TC パッケージSOIC
- 4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ タイプPチャンネル 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- 4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ タイプPチャンネル 表面 60 V ZXMHC6A07N8TC パッケージSOIC
- 4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ タイプNチャンネル 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- 4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ タイプPチャンネル 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型
- 4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ タイプNチャンネル 表面 30 V ZXMHC3F381N8TC パッケージSOIC
- 4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ タイプPチャンネル 表面 60 V ZXMHC6A07T8TA
- 4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ タイプNチャンネル 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型
