onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 77 A N, 8-Pin パッケージHPSOF-8L, NTBL023N065M3S
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- 333-415
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Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 77A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | HPSOF-8L | |
| シリーズ | EliteSiC | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 32.6mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 69nC | |
| 最大許容損失Pd | 312W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22 V | |
| 順方向電圧 Vf | 6V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| 高さ | 2.3mm | |
| 長さ | 9.9mm | |
| 幅 | 10.38 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 77A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 HPSOF-8L | ||
シリーズ EliteSiC | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 32.6mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 69nC | ||
最大許容損失Pd 312W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22 V | ||
順方向電圧 Vf 6V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
高さ 2.3mm | ||
長さ 9.9mm | ||
幅 10.38 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
オンセミコンダクターのSiC MOSFETは、高効率スイッチング用途向けに最適化されており、低伝導損失と堅牢な熱性能を提供します。その高度な設計は、コンパクトなパッケージングを維持しながら、要求の厳しい電力システムにおける信頼性を高めます。このデバイスは、最小限のエネルギー消費で効率的な動作を保証します。
H PSOF8Lパッケージ
RoHS準拠
鉛フリー
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