onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 37 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHPSOF-8L, NTBL075N065SC1
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- 220-564
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- NTBL075N065SC1
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- onsemi
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Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 37A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | NTBL | |
| パッケージ型式 | HPSOF-8L | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 85mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 4.4V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 139W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22.6 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 59nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 2.3mm | |
| 幅 | 10.38 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 9.9mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 37A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ NTBL | ||
パッケージ型式 HPSOF-8L | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 85mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 4.4V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 139W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22.6 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 59nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 2.3mm | ||
幅 10.38 mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 9.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
オン・セミコンダクターの炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供する全く新しい技術を使用しています。さらに、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート充電が低くなっています。その結果、システムの利点には、最高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などがあります。
低キャパシタンスで高速スイッチング
RoHS適合
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