onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A エンハンスメント型, スルーホール, 7-Pin パッケージHPSOF-8L

View all MOSFET・モスフェット
Bulk discount available

Subtotal (1 reel of 2000 units)*

￥2,012,500.00

(exc. VAT)

￥2,213,760.00

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
Units
Per unit
Per Reel*
2000 - 2000￥1,006.25￥2,012,500
4000 - 4000￥995.79￥1,991,580
6000 - 6000￥985.329￥1,970,658
8000 - 8000￥974.868￥1,949,736
10000 +￥964.408￥1,928,816

*price indicative

RS Stock No.:
254-7666
Mfr. Part No.:
NTBL045N065SC1
Brand:
onsemi
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

58A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

HPSOF-8L

シリーズ

NTB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

117W

順方向電圧 Vf

4.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

105nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、33モーム、650 V、M2、TOLL シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - 33モーム、650 V、M2、TOLL


ON Semiconductor NTBシリーズのシリコンカーバイドモスフェットは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮する完全に新しい技術を採用しています。さらに、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズを備えています。これにより、静電容量とゲート充電が低くなります。したがって、システムの利点には、最高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの削減、システムサイズの削減などがあります。

ボディダイオードのゼロ逆回復電流、超低ゲート充電、高速スイッチング、低静電容量

Related links