インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 789 A, 表面実装, 9 ピン, IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
- RS品番:
- 348-874
- メーカー型番:
- IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 348-874
- メーカー型番:
- IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 789 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 25 V | |
| パッケージタイプ | PG-WHTFN-9 | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 9 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 789 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 25 V | ||
パッケージタイプ PG-WHTFN-9 | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 9 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO（原産国）:
- MY
InfineonパワーMOSFETは、業界最小のRDS(on)0.29 mOhmと、電力損失管理が容易な卓越した熱性能を兼ね備えています。センターゲートのフットプリントは、並列化のために最適化されています。
伝導損失の最小化
高速スイッチング
電圧オーバーシュートの低減
高速スイッチング
電圧オーバーシュートの低減
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