Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 789 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH35N03LM5CGATMA1
- RS品番:
- 284-941
- メーカー型番:
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 284-941
- メーカー型番:
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 789A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| パッケージ型式 | PG-TTFN-9 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 9 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.29mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 278W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 789A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
パッケージ型式 PG-TTFN-9 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 9 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.29mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 278W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 5パワートランジスタを備え、MOSFET性能における最先端技術を体現しており、主に高効率スイッチング用途向けに設計されています。このトランジスタは、25Vの電圧で動作し、比類のない熱管理と低オン抵抗のために最適化されており、過酷な環境でも優れた効率を実現します。先進的な素材で製造され、最高の業界規格に準拠しているため、高電流負荷に対応しながらエネルギー損失を低く保つことができます。独自の設計により、強力な耐熱性をサポートし、コンパクトなレイアウトでも効果的な散熱を実現します。
高速スイッチングのためのNチャンネルテクノロジー
低オン抵抗でエネルギー損失を低減
信頼性を高める優れた耐熱性
産業耐久性に完全準拠
一貫した性能を実現するためにアバランチテスト済み
鉛フリーのめっきにより、サステナビリティを向上
安全規格に適合するハロゲンフリー構造
統合しやすいコンパクト設計
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