Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 789 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WHSON-8, IQDH29NE2LM5SCATMA1

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RS品番:
348-884
メーカー型番:
IQDH29NE2LM5SCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

789A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

PG-WHSON-8

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.29mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

278W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

COO（原産国）:
AT
InfineonパワーMOSFETは、業界最小のRDS(ON)0.29 mOhmと、電力損失管理が容易な卓越した熱性能を兼ね備えています。

伝導損失の最小化

高速スイッチング

電圧オーバーシュートの低減

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