Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 151 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WHSON-8, IQE022N06LM5SCATMA1

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梱包形態
RS品番:
284-755
メーカー型番:
IQE022N06LM5SCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

151A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PG-WHSON-8

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

100W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

26nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETには、OptiMOS 5パワートランジスタが搭載されています。高効率のMOSFETは、先進的な電力管理用途の要件を満たすように設計されています。このパワートランジスタは、過酷な条件下で信頼性の高い動作を実現する電力消費容量を備え、最適な効率と熱管理を実現します。鉛フリーでRoHS準拠の構造により、環境に敏感な用途での使用に適しています。また、ハロゲンフリーなので、さまざまなセクターでの適応性を向上させます。産業用途向けのJEDEC規格に準拠して完全に認定されているため、信頼性の高い高性能ソリューションを求めるエンジニアにとって信頼性の高いコンポーネントです。

電力管理に最適化

SMPSで同期整流をサポート

ロジックレベル互換性のNチャンネル

非常に低いオン抵抗により、熱性能を発揮

信頼性を高める優れた耐熱性

100%アバランチテスト済みで動作を保証

環境規制に準拠

産業用途向けの包括的な検証

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