Infineon パワー トランジスタ, Nチャンネル, 600 V, 70 A, 37 mΩ, 79 nC, 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- RS品番:
- 349-258
- メーカー型番:
- IPT60R037CM8XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥3,404
(税抜)
￥3,744
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | ￥1,702.00 | ￥3,404 |
| 20 - 198 | ￥1,532.00 | ￥3,064 |
| 200 + | ￥1,414.00 | ￥2,828 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 349-258
- メーカー型番:
- IPT60R037CM8XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | パワー トランジスタ | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 70A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | IPT | |
| パッケージ型式 | PG-HSOF-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 37mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 79nC | |
| 最大許容損失Pd | 390W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC for Industrial Applications | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ パワー トランジスタ | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 70A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ IPT | ||
パッケージ型式 PG-HSOF-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 37mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 79nC | ||
最大許容損失Pd 390W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 JEDEC for Industrial Applications | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
インフィニオンIPTシリーズパワートランジスタ、最大ドレイン-ソース間電圧 600V、最大連続ドレイン電流 70A - IPT60R037CM8XTMA1
このパワートランジスタは、産業用のスイッチングおよび電力変換向けに設計された高電圧NチャンネルMOSFETです。幅広い環境範囲で動作し、高い電流処理能力と高耐圧が求められる表面実装アセンブリ向けに設計されています。このデバイスは産業用JEDEC用途向けの仕様で、高い許容電力への対応と安定したゲート制御が求められる環境に適しています。
特長：
• 定格電圧 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 70A により、大きな負荷電流に対応
• 37mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 390W により、熱設計の余裕を確保
• 標準ゲート電荷 79nC により、駆動能力とスイッチング速度のバランスを確保
• ゲート電圧許容値 ±20V により、ゲート駆動設計を簡素化
• 連続ドレイン電流 70A により、大きな負荷電流に対応
• 37mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 390W により、熱設計の余裕を確保
• 標準ゲート電荷 79nC により、駆動能力とスイッチング速度のバランスを確保
• ゲート電圧許容値 ±20V により、ゲート駆動設計を簡素化
用途
• 産業用モータ駆動インバータ段に適合
• 高電圧電源およびコンバータに最適
• 再生可能エネルギー用インバータのブリッジトポロジーで使用
• 産業用電源モジュールのハードスイッチング用途に使用可能
• 大電流DC-DC変換段に適合
• 高電圧電源およびコンバータに最適
• 再生可能エネルギー用インバータのブリッジトポロジーで使用
• 産業用電源モジュールのハードスイッチング用途に使用可能
• 大電流DC-DC変換段に適合
動作時に対応可能な温度範囲はどのくらいですか？
-55～150°C で動作する仕様で、過酷な温度環境や高いケース温度での用途に対応します。
このデバイスはどのようなパッケージで実装されますか？
プリント基板へのリフロー実装および小型基板レイアウトに適した8ピンPG-HSOF-8表面実装パッケージで提供されます。
ゲートおよびチャンネルのどのような特性が駆動回路に影響しますか？
このNチャンネルエンハンスメントモードデバイスは、標準ゲート電荷 79nC、最大ゲート-ソース間定格電圧 20V で、これらの値はゲートドライバの選定および保護マージンの設定に影響します。
順方向電圧はスイッチング性能にどのように影響しますか？
0.9V の順方向電圧により、迅速な導通開始に寄与するとともに、デバイス選定時の総導通損失の算出にも影響します。
関連ページ
- Infineon パワー トランジスタ 650 V 45 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon パワーMOSFET 600 V 16 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon パワーMOSFET 0.82 V 22 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon パワー トランジスタ 135 V 2 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 600 V 37 mΩ 22ピン, パッケージ：PG-HDSOP-22
- Infineon MOSFET 650 V 37 mΩ 10ピン, パッケージ：PG-HDSOP-10
- Infineon MOSFET 600 V 65 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 600 V 180 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8