Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 10.5 A, 181.4 mΩ, 9.7 nC, 7ピン, パッケージ：PG-TO263-7
- RS品番:
- 349-105
- メーカー型番:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
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- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| シリーズ | IMB | |
| パッケージ型式 | PG-TO263-7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 181.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 最大許容損失Pd | 94W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 10.2mm | |
| 高さ | 4.5mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| 長さ | 15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
シリーズ IMB | ||
パッケージ型式 PG-TO263-7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 181.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
最大許容損失Pd 94W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.7nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 10.2mm | ||
高さ 4.5mm | ||
規格 / 承認 JEDEC47/20/22, RoHS | ||
長さ 15mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 は、超低スイッチング損失で、優れた効率を実現するように設計された高性能シリコンカーバイド MOSFET です。短絡耐量は 2 μs で、デバイスは故障状態に対して堅牢な保護を提供します。4.2 V のベンチマークゲートしきい値電圧（VGS(th)）により、最適なスイッチング性能を保証し、高効率と信頼性が求められる要求の厳しい電源用途に最適です。
ハード整流用の堅牢なボディダイオード
クラス最高の熱性能を実現する .XT 相互接続技術
エネルギー効率を向上
冷却の最適化
より高い電力密度
新しい堅牢な機能
高信頼性
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