Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 7 A, 0.6 Ω, 6 nC, 3ピン, パッケージ：PG-TO252-3
- RS品番:
- 349-313
- メーカー型番:
- IPD60R600CM8XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 349-313
- メーカー型番:
- IPD60R600CM8XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PG-TO252-3 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.6Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6nC | |
| 最大許容損失Pd | 64W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PG-TO252-3 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.6Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6nC | ||
最大許容損失Pd 64W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
Infineon CoolMOS 第 8 世代プラットフォームは、スーパージャンクション原理に基づいて設計され、Infineon Technologies が最初に開発した、高電圧パワー MOSFET 向けの革新的技術です。600V CoolMOS CM8 シリーズは、CoolMOS 7 の後継製品です。高速スイッチング SJ MOSFET の利点と、優れた使いやすさ（低リンギング傾向、すべての製品に実装された高速ボディダイオードによるハードスイッチングに対する優れた堅牢性、優れた ESD 性能）を兼ね備えています。さらに、CM8 の極めて低いスイッチング損失および伝導損失により、スイッチング用途の効率がさらに向上します。
ハードおよびソフトスイッチングトポロジに最適
スイッチング損失と導通損失を大幅に削減
高度なダイアタッチ技術により、熱管理を簡素化
幅広い用途と電力範囲に最適
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