Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 18 A, 0.18 Ω, 17 nC, 3ピン, パッケージ：PG-TO252-3
- RS品番:
- 348-988
- メーカー型番:
- IPD60R180CM8XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 100 - 495 | ￥379.60 | ￥1,898 |
| 500 - 995 | ￥349.00 | ￥1,745 |
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- RS品番:
- 348-988
- メーカー型番:
- IPD60R180CM8XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | PG-TO252-3 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.18Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最大許容損失Pd | 127W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 PG-TO252-3 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.18Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC | ||
最大許容損失Pd 127W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 600V、連続ドレイン電流 18A - IPD60R180CM8XTMA1
このMOSFETは、表面実装機器のスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。広い温度範囲で動作し、高い耐電圧と小型実装が求められる過酷な電子機器環境に適しています。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 18A により、大きな負荷電流に対応
• 0.18Ω の低オン抵抗により、電源回路の導通損失を低減
• 最大許容電力 127W により、より高い電力処理が可能
• 20V のゲートしきい値により、標準的なゲート駆動電圧に対応
• 標準ゲート電荷 17nC により、駆動エネルギーを抑えながら高速スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流 18A により、大きな負荷電流に対応
• 0.18Ω の低オン抵抗により、電源回路の導通損失を低減
• 最大許容電力 127W により、より高い電力処理が可能
• 20V のゲートしきい値により、標準的なゲート駆動電圧に対応
• 標準ゲート電荷 17nC により、駆動エネルギーを抑えながら高速スイッチングが可能
用途
• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• エネルギー管理システムのDC-DCコンバータで使用
• 再生可能エネルギー設備のインバータフロントエンドに使用可能
• 小型表面実装電源モジュールに適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• エネルギー管理システムのDC-DCコンバータで使用
• 再生可能エネルギー設備のインバータフロントエンドに使用可能
• 小型表面実装電源モジュールに適合
効率的な基板実装には、どのようなパッケージタイプが使用されていますか？
基板実装を簡素化する3ピンTO-252タイプ表面実装パッケージで提供されます。
過酷な周囲条件にどのように対応しますか？
このデバイスは -55°C～150°C で動作し、熱設計に制約がある場合でも高いジャンクション温度に対応します。
スイッチング性能について、どのようなゲート駆動を考慮する必要がありますか？
ドライブ回路では、最大 20V のゲート-ソース間電圧振幅に対応し、ドライバ電流と遷移時間を設定する際に 17nC のゲート電荷を考慮する必要があります。
このデバイスは車載認証システムに適していますか？
自動車規格への適合仕様ではないため、認証が必要な車載システムで使用する前に、自動車関連の規制要件に対して評価する必要があります。
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