Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 202 A, 11.3 mΩ, 178 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO-247-4-STD-NT6.7

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RS品番:
349-372
メーカー型番:
AIMZH120R010M1TXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

202A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.2kV

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

PG-TO-247-4-STD-NT6.7

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

178nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

750W

最大ゲートソース電圧Vgs

23V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q100, AEC-Q101

COO(原産国):
CN

インフィニオンCoolSiCシリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 1,200V、連続ドレイン電流 202A - AIMZH120R010M1TXKSA1


このNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETは、要求の厳しい電子システムでの高電圧スイッチング向けに設計されたシリコンカーバイドパワートランジスタです。堅牢な熱性能と高耐圧が求められる用途向けで、PG-TO-247-4パッケージによる一般的なスルー‑ホール実装に対応します。

特長:


• ドレイン定格電圧 1,200V により、高電圧回路での動作に対応
• 連続ドレイン電流 202A により、大電流負荷に対応
• 11.3mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 許容電力 750W により、連続高出力用途に対応
• ゲート電荷 178nC により、制御されたスイッチング動作が可能
• -55~175°C の動作温度範囲により、極端な温度条件での使用に対応

用途


• 産業システムの高電圧電力コンバータに適合
• 大電流が求められるトラクションインバータ段に最適
• AEC‑Q101に準拠した車載グレード電子機器で使用
• 再生可能エネルギー用インバータモジュールに使用可能
• 過酷な温度環境で使用する電源に適合

このデバイスは車載認定要件にどのように対応していますか?


一般に認められた車載用ストレス試験規格に適合し、車載電子機器に求められる信頼性に対応します。

設計時にはどのような実装方法を想定する必要がありますか?


このコンポーネントはスルー‑ホールPG-TO-247-4パッケージを採用し、基板への確実な取り付けとヒートシンクの使用に対応します。

スイッチング動作はゲート駆動設計にどのような影響を与えますか?


必要なスイッチング速度を確保しながら損失を最小限に抑えるには、ゲートドライバの容量を選定する際に標準ゲート電荷 178nC を考慮する必要があります。

どのような極性および導通モードを採用していますか?


エンハンスメントモードのNチャンネルデバイスとして動作し、正のゲート-ソース間電圧を印加すると導通します。

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