Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 100 A, 25 mΩ, 82 nC, 4ピン, パッケージ：PG-TO-247-4-STD-NT6.7
- RS品番:
- 349-373
- メーカー型番:
- AIMZH120R020M1TXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 349-373
- メーカー型番:
- AIMZH120R020M1TXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| パッケージ型式 | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| シリーズ | CoolSiC | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 25mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 429W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 82nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
パッケージ型式 PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
シリーズ CoolSiC | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 25mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 429W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 82nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon SiC MOSFET は、クラス最高のスイッチング性能、寄生ターンオンに対する堅牢性、および改善された RDSon と Rth(j-c) を特徴としています。高い電力密度、優れた効率、双方向充電機能、およびシステムコストの大幅な削減により、オンボード充電器や DC/DC 用途に最適です。
超低スイッチング損失
クラス最高のスイッチングエネルギー
最も低いデバイス容量
スイッチング性能を最適化するセンスピン
HV 沿面要件に最適
はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード
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