Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 69 A, 38 mΩ, 57 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO-247-4-STD-NT6.7

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RS品番:
349-375
メーカー型番:
AIMZH120R030M1TXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

69A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.2kV

パッケージ型式

PG-TO-247-4-STD-NT6.7

シリーズ

CoolSiC

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

38mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

23V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

57nC

最大許容損失Pd

326W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101, AEC-Q100

COO(原産国):
CN
Infineon SiC MOSFET は、クラス最高のスイッチング性能、寄生ターンオンに対する堅牢性、および改善された RDSon と Rth(j-c) を特徴としています。高い電力密度、優れた効率、双方向充電機能、およびシステムコストの大幅な削減により、オンボード充電器や DC/DC 用途に最適です。

超低スイッチング損失

クラス最高のスイッチングエネルギー

最も低いデバイス容量

スイッチング性能を最適化するセンスピン

HV 沿面要件に最適

はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード

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