Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 31 A, 0.066 Ω, 4.7 nC, 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16

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RS品番:
351-886
メーカー型番:
IGLT65R055D2ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IGLT65

パッケージ型式

PG-HDSOP-16

取付タイプ

表面

ピン数

16

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.066Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

10V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.7nC

最大許容損失Pd

102W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC for Industrial Applications

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

インフィニオンIGLT65シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 650V、連続ドレイン電流 31A - IGLT65R055D2ATMA1


このMOSFETは、広い温度範囲への対応と表面実装が求められる産業用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。エンハンスメントモードで動作し、自動基板アセンブリに適した小型PG-HDSOP-16表面実装パッケージで提供されます。JEDEC規格に準拠しており、広い温度範囲への対応が求められる過酷な産業環境に適しています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングシステムに対応
• 連続ドレイン電流 31A により、大きな負荷電流に対応
• 0.066Ω のRds(on)により、電力段での導通損失を低減
• 最大許容電力 102W により、高い熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 4.7nC により、スイッチング効率を向上
• ゲート-ソース間電圧上限 10V により、標準的なゲート駆動電圧に対応

用途


• 高電圧電力コンバータおよびインバータに適合
• 産業用モータ駆動スイッチングモジュールで使用
• 工場設備のスイッチング電源に最適
• 電源ラックのクランプ回路およびスナバ回路に使用可能
• 制御盤で高電圧リレーの代替として使用

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°C の広い温度範囲で動作し、過酷な温度条件の産業環境で使用できます。

基板配置では、ピン数と実装方式について何を考慮する必要がありますか?


このデバイスは16ピンPG-HDSOP-16表面実装パッケージを採用し、標準的なSMT実装工程に適しています。

ゲート仕様はドライバ選定にどのような影響を与えますか?


最大許容ゲート-ソース間電圧は 10V のため、過電圧ストレスを避けるには、この範囲内で駆動できるゲートドライバを選定する必要があります。

車載用途の自動車規格に準拠していますか?


自動車規格の認証は取得しておらず、JEDEC準拠の産業用途向けです。

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