Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 38 A エンハンスメント型, 表面, 16-Pin パッケージPG-HDSOP-16, IGLT65R045D2ATMA1

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RS品番:
351-887
メーカー型番:
IGLT65R045D2ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PG-HDSOP-16

シリーズ

IGLT65

取付タイプ

表面

ピン数

16

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.054Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

124W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC for Industrial Applications

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon GaN 電力トランジスタは、高周波動作での効率向上を可能にします。CoolGaN 650 V G5 ファミリーの一部として、最高の品質基準を満たし、優れた効率で信頼性の高い設計を可能にします。上面冷却 TOLT パッケージに収納され、さまざまな産業用途で最適な電力損失が得られるように設計されています。

650 V 電子モード電力トランジスタ

超高速スイッチング

逆回復電荷なし

逆導通が可能

低ゲート電荷、低出力電荷

優れた通電耐久性

低動的 RDS(on)

高 ESD 堅牢性：2 kV HBM - 1 kV CDM

上面冷却パッケージ

JEDEC 認定（JESD47、JESD22）

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