Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 47 A, 0.042 Ω, 7.7 nC, 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16
- RS品番:
- 351-889
- メーカー型番:
- IGLT65R035D2ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1個小計:*
¥1,796
(税抜)
¥1,976
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,780 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1,796 |
| 10 - 99 | ¥1,615 |
| 100 + | ¥1,491 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 351-889
- メーカー型番:
- IGLT65R035D2ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 47A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PG-HDSOP-16 | |
| シリーズ | IGLT65 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 16 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.042Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 154W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC for Industrial Applications | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 47A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PG-HDSOP-16 | ||
シリーズ IGLT65 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 16 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.042Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.7nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 154W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 JEDEC for Industrial Applications | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- MY
インフィニオンIGLT65シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 650V、連続ドレイン電流 47A - IGLT65R035D2ATMA1
このMOSFETは、産業用電源スイッチングおよび制御向けに設計された高電圧Nチャンネルエンハンスメントモードデバイスです。広い周囲温度範囲で動作し、高いドレイン-ソース間耐圧と適度なゲート電荷が求められる表面実装回路向けです。このパッケージはマルチピン実装に対応し、要求の厳しい電子システム向けの小型電源モジュールに統合できます。
特長:
• 高電圧スイッチング用途向けのドレイン-ソース間定格電圧 650V
• 連続ドレイン電流 47A により、大電流に対応
• 0.042Ω のRDS(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 154W により、熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 7.7nC により、効率的なゲート駆動が可能
• 小型基板配置に適したPG‑HDSOP‑16表面実装パッケージ
• 連続ドレイン電流 47A により、大電流に対応
• 0.042Ω のRDS(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 154W により、熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 7.7nC により、効率的なゲート駆動が可能
• 小型基板配置に適したPG‑HDSOP‑16表面実装パッケージ
用途
• 産業用高電圧インバータ段に適合
• 47A のスイッチング能力が必要な電源で使用
• 産業機器のモータ駆動フロント‑エンドに最適
• 高電圧システムのスナバ回路およびクランプ回路に使用可能
• 表面実装MOSFETが必要な小型電源モジュールに適合
• 47A のスイッチング能力が必要な電源で使用
• 産業機器のモータ駆動フロント‑エンドに最適
• 高電圧システムのスナバ回路およびクランプ回路に使用可能
• 表面実装MOSFETが必要な小型電源モジュールに適合
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?
-55°C~150°C で動作し、過酷な温度環境や広い‑温度範囲への対応が必要な産業設備で使用できます。
基板配置を検討する際、このパッケージには何本のピンがありますか?
このコンポーネントは、16‑ピン構成を採用しており、効果的に放熱できるよう、フットプリント設計とサーマルビア配置を決定する際に考慮する必要があります。
ゲート駆動電圧について、どのような制限を守る必要がありますか?
最大ゲート‑-‑ソース間電圧は 10V のため、ゲートドライバ回路では駆動振幅をこの範囲内に制限する必要があります。
このデバイスは、産業用途に求められる業界標準の試験要件に適合していますか?
産業用途向けのJEDEC基準に従って製造され、同分野で一般的な認定および信頼性要件に適合します。
関連ページ
- Infineon MOSFET 650 V 0.066 Ω 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16
- Infineon MOSFET 650 V 0.054 Ω 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16
- Infineon MOSFET 650 V 0.14 Ω 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16
- Infineon MOSFET 650 V 0.053 Ω 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16
- Infineon パワー トランジスタ 650 V 140 mΩ 9ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16
- Infineon MOSFET 650 V 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16
- Infineon MOSFET 650 V 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16
- Infineon MOSFET 120 V 1.7 mΩ パッケージ:PG-HDSOP-16
