Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 47 A, 0.042 Ω, 7.7 nC, 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16

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RS品番:
351-889
メーカー型番:
IGLT65R035D2ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

47A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PG-HDSOP-16

シリーズ

IGLT65

取付タイプ

表面

ピン数

16

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.042Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

10V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.7nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

154W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC for Industrial Applications

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

インフィニオンIGLT65シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 650V、連続ドレイン電流 47A - IGLT65R035D2ATMA1


このMOSFETは、産業用電源スイッチングおよび制御向けに設計された高電圧Nチャンネルエンハンスメントモードデバイスです。広い周囲温度範囲で動作し、高いドレイン-ソース間耐圧と適度なゲート電荷が求められる表面実装回路向けです。このパッケージはマルチピン実装に対応し、要求の厳しい電子システム向けの小型電源モジュールに統合できます。

特長:


• 高電圧スイッチング用途向けのドレイン-ソース間定格電圧 650V
• 連続ドレイン電流 47A により、大電流に対応
• 0.042Ω のRDS(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 154W により、熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 7.7nC により、効率的なゲート駆動が可能
• 小型基板配置に適したPG‑HDSOP‑16表面実装パッケージ

用途


• 産業用高電圧インバータ段に適合
• 47A のスイッチング能力が必要な電源で使用
• 産業機器のモータ駆動フロント‑エンドに最適
• 高電圧システムのスナバ回路およびクランプ回路に使用可能
• 表面実装MOSFETが必要な小型電源モジュールに適合

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°C で動作し、過酷な温度環境や広い‑温度範囲への対応が必要な産業設備で使用できます。

基板配置を検討する際、このパッケージには何本のピンがありますか?


このコンポーネントは、16‑ピン構成を採用しており、効果的に放熱できるよう、フットプリント設計とサーマルビア配置を決定する際に考慮する必要があります。

ゲート駆動電圧について、どのような制限を守る必要がありますか?


最大ゲート‑-‑ソース間電圧は 10V のため、ゲートドライバ回路では駆動振幅をこの範囲内に制限する必要があります。

このデバイスは、産業用途に求められる業界標準の試験要件に適合していますか?


産業用途向けのJEDEC基準に従って製造され、同分野で一般的な認定および信頼性要件に適合します。

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