Infineon パワー トランジスタ, Nチャンネル, 200 V, 137 A, 6.7 mΩ, 71 nC, 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8
- RS品番:
- 349-130
- メーカー型番:
- IPT067N20NM6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1個小計:*
¥1,582
(税抜)
¥1,740
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,960 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1,582 |
| 10 - 99 | ¥1,424 |
| 100 - 499 | ¥1,315 |
| 500 - 999 | ¥1,216 |
| 1000 + | ¥1,091 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 349-130
- メーカー型番:
- IPT067N20NM6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | パワー トランジスタ | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 137A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | PG-HSOF-8 | |
| シリーズ | IPT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.7mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 71nC | |
| 最大許容損失Pd | 300W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ パワー トランジスタ | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 137A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 PG-HSOF-8 | ||
シリーズ IPT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.7mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 71nC | ||
最大許容損失Pd 300W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- MY
インフィニオンIPTシリーズパワートランジスタ、最大ドレイン-ソース間電圧 200V、最大連続ドレイン電流 137A - IPT067N20NM6ATMA1
このパワートランジスタは、要求の厳しいスイッチング用途向けの大電流Nチャンネルエンハンスメントモードデバイスです。PG-HSOF-8パッケージの表面実装向けに設計され、大きな電力を処理でき、過酷な環境に適した広い温度範囲で動作します。このデバイスは、業界の信頼性評価および環境規制に適合し、堅牢な電子設計に対応します。
特長:
• 定格電圧 200V により、高電圧スイッチングに対応
• 6.7mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 137A により、大きな負荷に対応
• 許容電力 300W により、大きな熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 71nC により、予測可能なスイッチングエネルギーを確保
• ゲート電圧許容値 20V により、幅広いゲート駆動方式を選択可能
• 6.7mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 137A により、大きな負荷に対応
• 許容電力 300W により、大きな熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 71nC により、予測可能なスイッチングエネルギーを確保
• ゲート電圧許容値 20V により、幅広いゲート駆動方式を選択可能
用途
• 高出力DC-DCコンバータ段に適合
• モータ駆動およびインバータのパワーレッグに最適
• 電源の同期整流に使用
• コンバータのハードスイッチングトポロジーに使用可能
• 産業用バッテリ管理システムに適合
• モータ駆動およびインバータのパワーレッグに最適
• 電源の同期整流に使用
• コンバータのハードスイッチングトポロジーに使用可能
• 産業用バッテリ管理システムに適合
このデバイスは動作時にどの程度の温度範囲に対応できますか?
-55~175°C の広い温度範囲で動作し、高い熱ストレスがかかる環境で使用できます。
信頼性評価では、アバランシェ動作をどのように評価しますか?
各ユニットに 100% アバランシェ試験を実施し、過渡的な誘導エネルギー吸収に対する堅牢性を確認します。
どの環境規格およびパッケージ規格に適合していますか?
このデバイスはJ-STD-020およびIEC 61249-2-21に準拠し、材料構成に関するRoHS規制に適合しています。
実装方式とピン構成はどのような仕様ですか?
自動基板アセンブリに適した8ピンPG-HSOF-8表面実装パッケージで提供されます。
関連ページ
- Infineon MOSFET 120 V 1.7 mΩ パッケージ:PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 200 V 12.9 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8
- Infineon パワー トランジスタ 135 V 2 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 80 V 2.9 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 80 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 100 V 2.3 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 100 V 1.7 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 155 A, パッケージ:HSOF
