Vishay シングルMOSFET, デュアルNチャンネル 40 V, 123 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK, SQJ738EP-T1_GE3

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RS品番:
653-066
メーカー型番:
SQJ738EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

デュアルN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

123A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

SQJ738EP

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00317Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

93W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

5.09 mm

規格 / 承認

AEC-Q101

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
CN
Vishay自動車グレードのデュアルNチャンネルMOSFETは、過酷な環境での高効率スイッチング向けに設計されています。最大40 Vのドレインソース電圧をサポートし、最大175 °Cのジャンクション温度で信頼性の高い動作を実現します。PowerPAK SO-8Lに組み込まれたTrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、熱性と電気性能を向上させます。

AEC Q101適合

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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